Управление индукционной плиткой методом Брезенхэма (регулировка мощности).

Главная Форумы Конструкторское бюро Автоматизация Управление индукционной плиткой методом Брезенхэма (регулировка мощности).

В этой теме 202 ответа, 17 участников, последнее обновление  Sergey_r 2 нед. .

Просмотр 8 сообщений - с 196 по 203 (из 203 всего)
  • Автор
    Сообщения
  • #44093

    Sergey_r
    Участник
    • Ответов: 1747
    @serjrv

    Я думал большую роль играет Turn-on/Turn-off switching energy, а время определяет только максимально допустимую частоту. Вроде же это как раз та энергия, которая и уходит в нагрев? Тут у моего транзистора показания лучше будут. Или я не прав на счет этих параметров?

    Определяет и T(on) и T(off), а в большей степени dv/dt, но данный параметр в даташитах приведен в разных единицах, у Infineon в V/µs при приложенной энергии к затвору, а у ST в А/µs что правильней для токового прибора, у нас же не полевик. Далее Infineon приводит данные при напряжении ниже чем ST. А частотный график вообще не выдает посмотреть. Про нагрев. Если сказать утрированно и упрощенно, то основной нагрев идет когда в цепи есть ток а транзистор при этом находится в стадии открытия или закрытия, вот тут и важен параметр dv/dt в нашем случае. Те джоули что приведены, совсем не для оценки нагрева ))) и они просто мизерны, т.к. Вт = Дж/сек.

    p.s. Еще принимаем во внимание нагрев защитного диода, он тоже вносит не малый вклад. К примеру в беговых дорожках на управление движком тоже стоит IGBT и параллельно ему ставят быстродействующий диод который лучше встроенного.

    0
    #44094

    Sergey_r
    Участник
    • Ответов: 1747
    @serjrv

    Думаю попробовать поиграться с тепло-трубками – вывести их с радиатора непосредственно над лопастями вентилятора. Чисто из любопытства/спортивного интереса что получится.

    Если есть время, лучше с инвертором от сварочника поиграйся.

    0
    #44095

    skalinas
    Участник
    • Ответов: 393
    @skalinas

    Нагрев транзистора при мощности плитки от 1000Вт до 2000Вт идет в основном в статике. Когда транзистор открыт, токи достигают до 45А в пике, при этом падение напряжения на транзисторе порядка 1,7В (если память мне не изменяет))). Нужно смотреть на транзисторы с малым напряжением насыщения.

    А на мощности 600Вт и ниже, основной нагрев транзистора происходит в момент включения, когда разряжается конденсатор 0.35мкФ на транзистор. Токи в момент включения транзистора достигают до 150…200А, при этом транзистор полностью еще не открыт.

     

    0
    #44122

    Kostyan_nsk
    Участник
    • Ответов: 53
    @kostyan-nsk

    Определяет и T(on) и T(off), а в большей степени dv/dt, но данный параметр в даташитах приведен в разных единицах, у Infineon в V/µs при приложенной энергии к затвору, а у ST в А/µs что правильней для токового прибора, у нас же не полевик. Далее Infineon приводит данные при напряжении ниже чем ST. А частотный график вообще не выдает посмотреть. Про нагрев. Если сказать утрированно и упрощенно, то основной нагрев идет когда в цепи есть ток а транзистор при этом находится в стадии открытия или закрытия, вот тут и важен параметр dv/dt в нашем случае. Те джоули что приведены, совсем не для оценки нагрева ))) и они просто мизерны, т.к. Вт = Дж/сек.

    Да, но! У нас же транзистор работает на десятках килогерц и тогда мизерные 4мДж (Total switching energy) при 10КГц превращаются в уже ощутимые 40Дж. Или это все-таки так не работает? )))

    Если есть время, лучше с инвертором от сварочника поиграйся.

    Не, тащить сварочник в квартиру для наших целей я считаю уже слишком. И не такие у меня объемы, чтобы такие мощности требовались. Да и не шарю я во всём этом. )

    0
    #47696

    Kostyan_nsk
    Участник
    • Ответов: 53
    @kostyan-nsk

    А есть какие-нибудь соображения по поводу мосфетов на основе карбида кремния (гуглить SiC MOSFET)? По характеристикам в даташитах – просто роскошь. Подойдёт вместо IGBT в индукционке, если просто махнуть один на другой? Не в курсе какое напряжение приходит на базу с драйвера? Будет мосфет открываться или нет?

    0
    #47705

    Sergey_r
    Участник
    • Ответов: 1747
    @serjrv

    А есть какие-нибудь соображения по поводу мосфетов на основе карбида кремния (гуглить SiC MOSFET)? По характеристикам в даташитах – просто роскошь. Подойдёт вместо IGBT в индукционке, если просто махнуть один на другой? Не в курсе какое напряжение приходит на базу с драйвера? Будет мосфет открываться или нет?

    На затвор идет порядка 18 вольт. Цена на SiC MOSFET 2-го поколения как то на радует.

    0
    #47709

    Kostyan_nsk
    Участник
    • Ответов: 53
    @kostyan-nsk

    На затвор идет порядка 18 вольт. Цена на SiC MOSFET 2-го поколения как то на радует.

    Ну при 18 вольтах точно откроется. ) Т.е. получается можно просто выпаять IGBT, вместо него впаять SiC MOSFET и должно будет заработать?

    0
    #47714

    Sergey_r
    Участник
    • Ответов: 1747
    @serjrv

    На затвор идет порядка 18 вольт. Цена на SiC MOSFET 2-го поколения как то на радует.

    Ну при 18 вольтах точно откроется. ) Т.е. получается можно просто выпаять IGBT, вместо него впаять SiC MOSFET и должно будет заработать?

    Думаю да.

    0
Просмотр 8 сообщений - с 196 по 203 (из 203 всего)

Для ответа в этой теме необходимо авторизоваться.